本書內容條理分明，淺顯易懂，並搭配習題，加強學習效果。包括深次微米數位積體電路設計，簡要回顧基礎邏輯閘的重要概念，利用基本的元件物理概念來導入，在第三章裡描述在積體電路設計過程中製造、佈局和模擬間的關係，第四章對MOS反相器導出雜訊容限和切換臨界值的分佈公式，在第五、六章討論NAND、NOR等邏輯閘靜態設計問題及高速設計所涉及問題。第七、八章研究傳輸閘和動態邏輯設計及半導體記憶體設計。九至十一章討論記憶體設計中的其他問題，介紹連線設計及電源網路和時脈設計。藉由本書完整歸納，使讀者對數位積體電路有進一步了解。本書適合私立大學、科大資工、電子、電機系「數位積體電路設計」課程使用。 ■本書優點特色 1.以半導體元件物理為基礎，逐步闡述深次微米製程中數位設計問題。2.介紹最新CMOS製造技術，包括淺溝槽隔離、銅互連和低k介質。3.深入淺出的介紹，適合對積體電路設計有興趣的人士，作為研究的參考。
